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Affichage 21 articles: IXFK34N80 à IXGR60N60C2 (Page 88 sur 114)

Transistor IXFK34N80
IXFK34N80
58.86€ TTC
40 En stock
40 En stock

Transistor MOSFET canal N 800V 34A/136Ap 560W 0.24R Trr:250nS. Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO-264AA. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 800V. Id(T:25): 34A. Puissance: 560 W. Id(imp): 136 Ap. Idss (min): 100 uA. Idss (max): 2mA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Rds(on): 0.24 Ohm. Diode de p

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXFK44N80P
IXFK44N80P
53.93€ TTC
38 En stock
38 En stock

Transistor IXFK44N80P N-MOS 800V 44A 500W<0.19R 250nS. HiPerFet Power MOSFET. F-Class: MegaHerz Switching. Constructeur: IXYS. Boîtier: TO-264AA. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 44 A. Rds (Ohms): 0.19. Puissance: 500 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXFK48N50
IXFK48N50
53.20€ TTC
15 En stock
15 En stock

Transistor IXFK48N50 N-MOS 500V 48A 500W<0.10R 250nS. HiPerFet Power MOSFET. F-Class: MegaHerz Switching. Constructeur: IXYS. Boîtier: TO-264AA. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 48 A. Rds (Ohms): 0.1. Puissance: 500 W

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor IXFK48N60P
IXFK48N60P
54.10€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IXFK48N60P N-MOS 600V 48A 500W<0.12R 250nS. HiPerFet Power MOSFET. F-Class: MegaHerz Switching. Constructeur: IXYS. Boîtier: TO-264AA. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 48 A. Rds (Ohms): 0.12. Puissance: 500 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXFK64N50P
IXFK64N50P
41.33€ TTC
25 En stock
25 En stock

Transistor MOSFET canal N 500V 64A/150Ap 830W 0.085R Trr:200nS. Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264AA. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 500V. Id(T:25): 64A. Puissance: 830 W. Id(imp): 150 Ap. Idss (min): 25 uA. Idss (max): 1mA. Vgs: 30V. Vgs(th) min.: 3V. Vgs(th) max.: 5.5V. Rds(on): 8

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXFK90N30
IXFK90N30
34.05€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N 300V 90A/360Ap 560W 0.033R Trr:250nS. Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264AA. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 300V. Id(T:25): 90A. Puissance: 500 W. Id(T:100): 75A. Id(imp): 360 Ap. Idss (min): 100 uA. Idss (max): 2mA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Vgs(th) max.:

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXFR120N20P
IXFR120N20P
30.46€ TTC
9 En stock
9 En stock

Transistor IXFR120N20P N-MOS 200V 105A 400W 0.017R 250nS. Polar HiPerFet Power MOSFET. td(on):40nF. td(off):110nF. Constructeur: IXYS. Boîtier: ISOPLUS247 (TO-247). Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 105 A. Rds (Ohms): 0.017.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IXFR180N15P
IXFR180N15P
58.41€ TTC
10 En stock
10 En stock

Transistor MOSFET canal-N 150V 100A/380Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.013 Ohms. Trr:200nS

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXFR200N10P
IXFR200N10P
50.79€ TTC
10 En stock
10 En stock

Transistor IXFR200N10P N-MOS 100V 133A 300W<0.009R 150nS. Polar HiPerFet Power MOSFET. td(on):30nF. td(off):150nF. Constructeur: IXYS. Boîtier: ISOPLUS247 (TO-247). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 133 A. Rds (Ohms): 0.009.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXFR48N50Q
IXFR48N50Q
28.06€ TTC
1 En stock
1 En stock

Transistor MOSFET canal N 500V 40A/192Ap 310W 0.11R Trr:250nS. Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: ISOPLUS247 (TO-247). Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 500V. Id(T:25): 40A. Puissance: 310 W. Id(imp): 192 Ap. Idss (min): 100 uA. Idss (max): 2mA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4V. Rds(on):

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXFX34N80
IXFX34N80
53.59€ TTC
25 En stock
25 En stock

Transistor MOSFET canal N 800V 34A/136Ap 560W 0.24R Trr:250nS. Constructeur: IXYS. Type de boîtier: PLUS247. Boîtier: PLUS247. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 800V. Id(T:25): 34A. Puissance: 560 W. Id(imp): 136 Ap. Idss (min): 100 uA. Idss (max): 2mA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Rds(on): 0.24 Ohm. Diode de protection

 
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Transistor IXGH24N60CD1
IXGH24N60CD1
30.74€ TTC
36 En stock
36 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 48A. Puissance: 150W. Vce(sat): 2.1V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. Td(on): 15ns. Td(off): 75ns.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXGH30N60B2D1
IXGH30N60B2D1
33.15€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V 70A. Puissance: 190W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247AD. HiPerFAST IGBT.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXGH32N60BU1
IXGH32N60BU1
44.91€ TTC
23 En stock
23 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 60A. Puissance: 200W. Vce(sat): 2.3V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. Td(on): 25ns. Td(off): 100ns.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXGH40N60B2
IXGH40N60B2
27.05€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 300W. Vce(sat): 1.7V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 130ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXGH40N60B2D1
IXGH40N60B2D1
30.97€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 70A. Puissance: 300W. Vce(sat): 1.7V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 130ns.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXGR40N60B2D1
IXGR40N60B2D1
36.46€ TTC
13 En stock
13 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 60A. Puissance: 167W. Vce(sat): 1.9V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 130ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IXGR40N60C2
IXGR40N60C2
41.44€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 56A. Puissance: 170W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 90ns

 
 
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Transistor IXGR40N60C2D1
IXGR40N60C2D1
42.45€ TTC
1 En stock
1 En stock

Transistor IGBT N 600V 56A 170W Vce(sat)2.7V. Boîtier: TO-247AC HiPerFAST IGBT. Fréquence de l´horlogenction: C2-Class High Speed IGBT. Note: Td(on)18ns, Td(off)90nS.

 
 
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Transistor IXGR48N60C3D1
IXGR48N60C3D1
35.84€ TTC
17 En stock
17 En stock

Transistor IGBT N 600V 56A. Vce(sat): 2.3V. Boîtier: TO-247AC. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 600V. Courant de collecteur maxi: 56A. Puissance: 125W. VGES: 20V. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

 
 
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Transistor IXGR60N60C2
IXGR60N60C2
32.65€ TTC
48 En stock
48 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 95ns

 
 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON